1、招标条件
项目概况:购买半导体器件功率循环测试设备
资金到位或资金来源落实情况:专项资金，资金来源已落实。
项目已具备招标条件的说明:本项目已具备招标条件。
2、招标内容
招标项目编号:0618-184TC18085BP/03
招标项目名称:矢量网络分析仪、高加速离心机、半导体器件功率循环测试设备采购项目
项目实施地点:北京市
招标产品列表(主要设备):
| 序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
| 1 | 半导体器件功率循环测试设备 | 2 | *1.1驱动电压（Vc/Vd）范围：24/48V可选，由于电源为关键部件要求采用进口产品； *1.2 48V下试验功率大于300W； *1.3高功率试验通道≥8条（每条最大功率大于300W），低功率试验通道≥45条（每条最大功率大于7W）； *1.4满足GJB128A（MIL-STD-750E）方法1026、1027、1036、1037、1042（稳态/间歇工作寿命）规定。 *1.5试验种类覆盖IGBT/MOSFET（N/P沟道），双极晶体管（PNP/NPN）和二极管； *1.6具备监测器件结温的功能； 1.7加热电流分辨率≤5mA，加热电流准确度优于±1%； *1.8至少一台具备16工位的壳温Tc和ΔTc的检测功能； *1.9具备Tj检测功能，具备功率补偿功能； *1.10当每批次Vf值出现离散现象时设备必须具备补偿Vf离散的功能； 1.11 Switch-on时间≤60ns，Switch-off 时间≤30ns； *1.12冷却方式为风冷，由于鼓风机为关键部件要求采用进口产品； 1.13要求所投标之设备为成熟机型，市场占有率高（大于5家），要求提供销售合同； *1.14元器件种类，试验板类型，数量满足下表要求（单台配置） 元器件 种类 试验板类型及试验样品工位数量 备注 IGBT 主试验板：2块，每块至少可放8块子板； 试验子板：至少8块，每块至少放4只样品。 N/P沟道 MOSFET 主试验板：1块，每块至少可放7块子板； 试验子板：至少7块，每块至少放4只样品。 SiC材料器件 （用于增强型 /耗尽型） MOS管 主试验板：3块，每块至少可放14块子板； 试验子板：至少14块，每块至少放4只样品。 双极 晶体管 主试验板：2块，每块至少可放8块子板； 试验子板：至少8块，每块至少放4只样品。 PNP/NPN 二极管 主试验板：1块，每块至少可放4块子板； 试验子板：至少4块，每块至少放15只样品。 |
3、投标人资格要求
投标人应具备的资格或业绩:1、投标人应具备的资格：
（1）投标人应是所投产品的制造商或由制造商直接授权的代理商；如是代理商投标，则必须提供所投产品制造商的正式授权书，且同一品牌产品只能授权唯一代理商参加本项目投标；
（2）投标人提供有效的企业注册证明（境外投标人）；
（3）投标人提供有效的营业执照副本、组织机构代码证副本、税务登记证（境内投标人）；
（4）投标人须提供其开户银行在开标日前三个月内开具的资信证明；国内注册的投标人还应提供人民银行出具的开户许可证复印件。
2、业绩要求：要求所投标之设备为成熟机型，市场占有率高（大于5家），要求提供销售合同
3、本项目不接受联合体投标。
4、未在中招国际招标 登记并领购招标文件的潜在投标人不得参加投标。
是否接受联合体投标:不接受
未领购招标文件是否可以参加投标:不可以
4、招标文件的获取
招标文件领购开始时间:2018-07-17
招标文件领购结束时间:2018-07-24
是否在线售卖标书:否
获取招标文件方式:现场领购
招标文件领购
项目负责人：李阳（女士）
手机：13683233285
电话：010-51957458
QQ：1211306049
邮件：1211306049@qq.com
