1、招标条件
项目概况:扩散炉
资金到位或资金来源落实情况:已到位
项目已具备招标条件的说明:已具备
2、招标内容
招标项目编号:0613-184022135109
招标项目名称:扩散炉
项目实施地点:中国江苏省
招标产品列表(主要设备):
序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 栅极氧化扩散炉 | 2 | 在12英寸集成电路生产中进行栅极氧化成膜的扩散炉,能够满足华虹半导体 55nm工艺研发和量产。 | |
2 | 氧化扩散炉 | 1 | 在12英寸集成电路生产中氧化成膜的扩散炉,能够满足华虹半导体 55nm工艺研发和量产。 | |
3 | 高温退火扩散炉 | 3 | 在12英寸集成电路生产中,利用高温使硅片进行高温退火,能够满足华虹半导体 55nm工艺研发和量产。 | |
4 | 高温氧化炉管 | 3 | 通过控制SiH2Cl2与N2O在一定温度/压力下反应,形成满足工艺需求的氧化膜。 | |
5 | 扩散炉_掺杂多晶硅 | 1 | 在12英寸集成电路生产中,掺杂多晶硅,能够满足华虹半导体 55nm工艺研发和量产。 | |
6 | 非掺杂多晶硅 | 1 | 在12英寸集成电路生产中非掺杂多晶硅的扩散炉,能够满足华虹半导体 55nm工艺研发和量产。 | |
7 | 扩散炉_六氯乙硅烷/正硅酸乙酯 氧化成膜 | 1 | 在12英寸集成电路生产中使用六氯乙硅烷/正硅酸乙酯反应成膜的扩散炉,能够满足华虹半导体 90nm及55nm工艺研发和量产。 | |
8 | 扩散炉_低压氮化硅成膜(氨气) | 3 | 在12英寸集成电路生产中,利用低压形成氮化硅(氨气)膜,能够满足华虹半导体 55nm工艺研发和量产。 | |
9 | 扩散炉_低压氮化硅成膜(氨气) | 2 | 在12英寸集成电路生产中,利用低压形成氮化硅(氨气)膜,能够满足华虹半导体 55nm工艺研发和量产。 | |
10 | 扩散炉_正硅酸乙酯氧化成膜(先进实时温控) | 2 | 在12英寸集成电路生产中使用正硅酸乙酯氧化成膜的扩散炉,能够满足华虹半导体 55nm工艺研发和量产。 |
3、投标人资格要求
投标人应具备的资格或业绩:1)投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织;2)投标人或投标货物的制造商须具备向12英寸集成电路制造企业提供此类设备供货和安装调试经验;3) 法律、行政法规规定的其他条件。
是否接受联合体投标:不接受
未领购招标文件是否可以参加投标:不可以
4、招标文件的获取
招标文件领购开始时间:2019-01-08
招标文件领购结束时间:2019-01-15
是否在线售卖标书:否
获取招标文件方式:现场领购
招标文件领购 招标文件售价:¥1000/$150
其他说明:潜在投标人须在招标文件领购前在国家商务部指定的为机电产品国际招标投标活动提供公共服务和行政监督的网上平台 上完成)上完成有效注册; 获取招标文件时须提供1.营业执照复印件加盖公章 2.法定代表人或单位负责人授权书
5、投标文件的递交
投标截止时间 :2019-01-29 09:30
投标文件未曾在中国电力招标采购网(www.dlztb.com)上注册会员的单位应先注册。登录成功后根据招标公告的相说明下载投标文件!
项目 联系人:李杨
咨询电话:010-51957458
传真:010-51957412
手机:13683233285
QQ:1211306049
微信:Li13683233285 邮箱:1211306049@qq.com
备注:欲购买招标文件的潜在投标人,注册网站并缴纳因特网技术服务费后,查看项目业主,招标公告,中标公示等,并下载资格预审范围,资质要求,招标清单,报名申请表等。为保证您能够顺利投标,具体要求及购买标书操作流程按公告详细内容为准,以招标业主的解答为准本。
编辑:chinabidd